济南干净的石墨烯薄膜是用于包括透明电极和外延层在内的应用的有前途的材料。
作者首先利用垂直CVD生长方法实现了二维β相In2Se3的大面积生长，开元然后在CVD生长过程中，在前驱体中加入InSe获得了大面积的β′-In2Se3薄膜。该研究为耐用催化剂的设计提供了新的思路，隧道这些催化剂可以承受工业规模氢气生产的恶劣条件。
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最后，隧道将大面积的β′-In2Se3薄膜转移到柔性基底上，成功实现了大面积的α-In2Se3薄膜。
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